三星晶圆代工部分的2纳米良率显着进步
时间: 2025-08-07 21:16:00 | 作者: 袋中袋给袋包装机
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与良率在 2 纳米级 N2 节点上已超越 60% 的台积电不同，三星晶圆代工部分没有完成这一令人神往的里程碑。不过，韩国新闻媒体《文明日报》的一篇新报导称，这家尚在发展中的芯片制造商已挨近这一方针，现在良率在 40% 至 50% 之间。这一数字显着高于 2 月份报导的估计值 30%。假如不知道所触及芯片的芯片裸片尺度，良率自身并无太大含义，但在这样的一种状况下，其芯片裸片尺度可能与智能手机体系级芯片（SoC）的巨细差不多（约 150 平方毫米）。
话虽如此，X 渠道泄密者兼半导体分析师朱坎洛斯雷夫（Jukanlosreve）表明，良率的进步是有价值的。明显，三星为了生产出可用的芯片，不得不献身一些功能。这在某种程度上预示着在原始功能方面，三星的第二代 2 纳米制程（SF2）将再次落后于台积电的 N2 节点。这有几率会使一般版骁龙 8 Elite 2（台积电 N3P 制程）和为三星 Galaxy 打造的骁龙 8 Elite 2 之间呈现巨大的功能差异。
更糟糕的是，三星的 3 纳米节点曾因选用盘绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技能而时间短占有优势，但到了 2 纳米节点就不再如此，由于 2 纳米级 N2 节点运用的是纳米片技能，从根本上来说与台积电的技能相同。朱坎洛斯雷夫称，或许三星的下一代制程 —— 第二代 2 纳米制程升级版（SF2P）的状况会有所改善，据宣扬，该制程将是三星 “线 纳米节点。回来搜狐，检查更加多
